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2377 articles disponibles

Affichage 21 articles: PBSS4041NX à RFD3055LESM (Page 100 sur 114)

Transistor PBSS4041NX
PBSS4041NX
3.08€ TTC
100 En stock
100 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant de collecteur maxi: 6.2A. Boîtier: SOT-89. High-Current Switching. Low-saturation voltage. Marquage CMS: 6F. Gain hFE: 75-500. Fréquence maxi: 130MHz.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor PBSS4041PX
PBSS4041PX
3.08€ TTC
111 En stock
111 En stock

Transistor CMS PNP PBSS4041PX 60V 5A/15App 0.6W 110MHz. Vce max: 60 V. Courant collecteur max: 5 A. Boîtier: SOT-89. High-Current Switching. Iow-saturation voltage. Constructeur: NXP. Marquage CMS: (6G) hFE: 80-300

 
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Tarifs dégressifs

Transistor NPN PDTC144ET
PDTC144ET
0.28€ TTC
79 En stock
79 En stock

Transistor NPN. Résistance de base intégrée. 50V 0.1A Rb=47K Rbe47K

Quantité minimum: 5
0
Tarifs dégressifs

Transistor PH2369
PH2369
0.90€ TTC
811 En stock
811 En stock

Transistor NPN PH2369 15/40V 0.5A 0.625W 8/10nS. Vce maxi: 40 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Boîtier: TO-92. NPN switching transistor. Constructeur: PHI. 130.41594. Tension collecteur/base maxi: 15 V. Puissance: 0.625 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor PHB45N03LT
PHB45N03LT
7.50€ TTC
48 En stock
48 En stock

Transistor PHB45N03LT N-MOS 25V 45A/180Ap 86W 0.016R. TrenchMOS transistor. Logic level field-effect power transistor. Constructeur: PHI. Boîtier: TO-263 (SOT404 (D2-PAK)). Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 45 A. Rds (Ohms): 0.016

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor PHP45N03LT
PHP45N03LT
7.28€ TTC
67 En stock
67 En stock

Transistor PHP45N03LT N-MOS 25V 45A/180Ap 86W 0.016R. TrenchMOS transistor. Logic level field-effect power transistor. Constructeur: PHI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 45 A. Rds (Ohms): 0.016.

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor PMBT2369
PMBT2369
0.39€ TTC
2820 En stock
2820 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.2A. Boîtier: SOT-23. High-Speed Switching. Marquage CMS: P1J. T1J. Fréquence maxi: 500 MHz. Gain HFE: 40-120.

 
Quantité minimum: 10
0
Tarifs dégressifs

Transistor PMBT4401
PMBT4401
0.50€ TTC
61 En stock
61 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Boîtier: SOT-23. High-Speed Switching. Marquage CMS: P2X. Paire: PMBT4401. Fréquence maxi: 250 MHz. Gain Hfe: 100-300.

 
Quantité minimum: 2
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Tarifs dégressifs

Transistor PMBT4403
PMBT4403
0.50€ TTC
2857 En stock
2857 En stock

Transistor PNP PMBT4403 40V/40V 0.6A 0.25W 200MHz hFE:100-300. Vce maxi: 40 V. Courant collecteur maxi: 0.6 A. Boîtier: SOT-23. High-Speed Switching. Constructeur: NXP. Marquage CMS: P2T. T2T. W2T (Paire: PMBT4401). Fréquence maxi: 200 MHz.

Quantité minimum: 2
0
Tarifs dégressifs

Transistor PN100
PN100
0.84€ TTC
143 En stock
143 En stock

Transistor NPN PN100 45/75V 0.5A 625mW 250MHz TO92. Vce maxi: 75 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Boîtier: TO-92. General Purpose Amplifier. Constructeur: Fairchild. Hfe: 80.450. Tension collecteur/base maxi: 45 V

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor PN100A
PN100A
0.90€ TTC
111 En stock
111 En stock

Transistor NPN PN100A 45/75V 0.5A 625mW 250MHz TO92. Vce maxi: 75 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Boîtier: TO-92. General Purpose Amplifier. Constructeur: Fairchild. Hfe: 240.600. Tension collecteur/base maxi: 45 V

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor PN200
PN200
0.84€ TTC
132 En stock
132 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. General Purpose Amplifier. Hfe: 80.450. Tension collecteur/base maxi: 45V.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor PN200A
PN200A
0.90€ TTC
39 En stock
39 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. General Purpose Amplifier. Hfe: 240.600. Tension collecteur/base maxi: 45V.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor PN2222A
PN2222A
0.50€ TTC
148 En stock
148 En stock

Transistor bipolaire NPN 75V 0.6A. Boîtier: TO-92. Gain Hfe: 35-300. Tension collecteur-émetteur maxi: 75V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 300MHz. Vceo: 40V. Vcbo:75V.

 
Quantité minimum: 2
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Tarifs dégressifs

Transistor PN2907A
PN2907A
0.50€ TTC
1122 En stock
1122 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 0.6A. Boîtier: TO-92. General Purpose Amplifier. Gain Hfe: 75-300. 2N2907

 
Quantité minimum: 2
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N PSMN013-100BS-118
PSMN013-100BS-118
4.82€ TTC
6 En stock
6 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 68A/272A 170W. Résistance passante RDSon : 0.0139 Ohms

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor PSMN015-100P
PSMN015-100P
9.35€ TTC
12 En stock
12 En stock

Transistor MOSFET canal N 100V 75A/240Ap 300W 0.012R (60.8A). Constructeur: Philips Semiconductors. Code constructeur: PSMN015-100P.127. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB (SOT78A). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 75A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 60.8A. Id(imp): 240 Ap. Idss (min): 0.05 uA. Id

 
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Transistor PSMN035-150P
PSMN035-150P
11.09€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N 150V 50A/200Ap 250W 0.03R (36A). Constructeur: Philips Semiconductors. Code constructeur: PSMN035-150P.127. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB (SOT78A). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 150V. Id(T:25): 50A. Puissance: 250 W. Id(T:100): 36A. Id(imp): 200 Ap. Idss (min): 0.05 uA. Idss (m

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N Q67040-S4624
Q67040-S4624
13.05€ TTC
436 En stock
436 En stock

Transistor MOSFET canal-N 650V 7.3A/21.9Ap 83W. Résistance passante RDSon : 0.54 Ohms (4.6A)

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N Q67042-S4113
Q67042-S4113
16.63€ TTC
6 En stock
6 En stock

Transistor MOSFET canal-N 30V 80A/320Ap 188W. Résistance passante RDSon : 0.005 Ohms

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor RFD3055LESM
RFD3055LESM
4.65€ TTC
12 En stock
12 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 48W. Rds<0.15 Ohm. Enhancement-Mode Power MOSFET. Logic Level. ESD Rated. Avalanche Rated. Boîtier: TO-252AA D-PAK. Marquage CMS: F3055L.

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON